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六氟-1,3-丁二烯（C4F6）作為低溫室效應(yīng)的環(huán)保型蝕刻氣體，主要用于半導(dǎo)體干法刻蝕工藝。隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計算、人工智能等技術(shù)的運(yùn)用，未來全球數(shù)據(jù)量將急劇增長，隨之對存儲能力的要求也越來越高，而2D平面結(jié)構(gòu)已經(jīng)到達(dá)技術(shù)極限，3D結(jié)構(gòu)是未來發(fā)展必然趨勢。隨著3D NAND技術(shù)的發(fā)展，C4F6的消耗量將大幅增加，NAND FLASH從2D轉(zhuǎn)向3D過程中，單片晶圓使用C4F6的消耗量達(dá)到之前的6倍以上。

刻蝕性能比較

C4F6，亦稱六氟-1,3-丁二烯、HFBD，其作刻蝕使用具有以下優(yōu)異性能：C/F比高達(dá)67%，與C4F8、C5F8相比，使用C4F6可得到更高的刻蝕速率選擇比；與C4F8相比，C4F6有更高的對光阻和氮化硅選擇比。這兩個刻蝕優(yōu)點，可提高刻蝕的穩(wěn)定性和生產(chǎn)效率，從而提高產(chǎn)品良率和可靠性，因為隨著器件尺寸推進(jìn)到0.13um，孔的CD（關(guān)鍵尺寸）要比0.18um小30％左右，鍵膜層的選擇比要高，這樣才能擴(kuò)大蝕刻的窗口。另外，C4F6全球變暖潛值低，產(chǎn)生的溫室效應(yīng)小，具有更好的環(huán)保特性，使用C4F6取代C4F8，可減少65%-82%PFC的排放。

C4F6可取代CF4，用于KrF激光銳利蝕刻半導(dǎo)體電容器圖形（Patterns）的干法工藝。C4F6具有各向異性，在硅和氧化硅蝕刻中可產(chǎn)生理想的高寬比，在蝕刻形成聚合物薄膜（光刻膠）對側(cè)壁起保護(hù)作用。